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FM6040K
1个N沟道 耐压:60V 电流:40A
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- 描述
- 特性：60V/40A。 RDS(ON)= 16.0mΩ(典型值)@VGS = 10V。 RDS(ON)= 19.8mΩ(典型值)@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤环保器件（符合RoHS标准）。应用：DC/DC电源管理。 开关应用
- 品牌名称
- FM(富满)
- 商品型号
- FM6040K
- 商品编号
- C2932021
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.363克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+155℃ | |
| 输出电容(Coss) | 98pF |
商品概述
2080K采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于负载开关、PWM应用、电源管理和通用应用。
商品特性
- 极低的RDS(ON)：
- 典型RDS(ON) = 3.4mΩ（VGS = 4.5 V，Id = 30 A时）
- 良好的稳定性和一致性
- 经过100%雪崩测试
- 散热性能出色的封装
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理
- 通用应用