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7580D
N沟道,电流:86A,耐压:75V
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- 品牌名称
- FM(富满)
- 商品型号
- 7580D
- 商品编号
- C2932023
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 86A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 147W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.053nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FH8712G2采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。它具备ESD保护功能。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V，漏极电流（ID） = 8A
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 12mΩ（最大值）
- 栅源电压（VGS） = 3.8V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 14mΩ（最大值）
- 栅源电压（VGS） = 2.5V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 16.5mΩ（最大值）
- ESD等级：2000V HBM
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
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