6080D
68V N沟道增强型MOSFET,电流:64A,耐压:68V
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- 品牌名称
- FM(富满)
- 商品型号
- 6080D
- 商品编号
- C2932022
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 128W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.899nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 303pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
6080D采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 极低的RDS(on):典型值RDS(on) = 7.0mΩ(VGS = 10 V,Id = 40 A时)
- 低栅极电荷(典型值75 nC)
- 快速开关
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理