6080D
68V N沟道增强型MOSFET,电流:64A,耐压:68V
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- 品牌名称
- FM(富满)
- 商品型号
- 6080D
- 商品编号
- C2932022
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 128W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.899nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 303pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
P沟道增强型场效应晶体管
商品特性
- 漏源电压（V）~~- 20 V
- 漏极电流~~- 5 A（栅源电压~~- 4.5 V）
- 导通电阻<42 mΩ（栅源电压~~- 4.5 V）
- 导通电阻<60 mΩ（栅源电压~~- 2.5 V）
- 导通电阻<120 mΩ（栅源电压~~- 1.8 V）
- 静电放电保护高达2.0 KV（人体模型）
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于低导通电阻的高密度单元设计
- 高速开关
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理