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45N18
1个N沟道 耐压:45V 电流:20A
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- 描述
- 特性：45V, 20A。 RDS(ON) = 15mΩ (Typ.) @ VGS = 10V。 RDS(ON) = 18mΩ (Typ.) @ VGS = 4.5V。 高密度单元设计，实现超低RDS(ON)。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。 出色的散热封装。应用：DC/DC转换器。 无线充电器
- 品牌名称
- FM(富满)
- 商品型号
- 45N18
- 商品编号
- C2932020
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.142克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 45V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 128pF |
商品概述
BLM04N06采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 150A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 4.2 mΩ
- 高密度单元设计，降低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高EAS下稳定性和一致性良好
- 散热性能出色的封装
- 100%进行了单脉冲雪崩测试！
- 100%进行了漏源电压变化率测试！
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源