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2080K
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:20V 电流:80A
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- 描述
- 特性：极低的导通电阻：典型值为 3.4mΩ（VGS = 4.5V，Id = 30A 时）。 良好的稳定性和一致性。 100% 雪崩测试。 出色的散热封装
- 品牌名称
- FM(富满)
- 商品型号
- 2080K
- 商品编号
- C2932010
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.362克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 88W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.56nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 356pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
P沟道MOSFET
商品特性
- 漏源电压（VDS）：-20 V
- 漏极电流（ID）：-2.3 A
- 栅源电压（VGS）为 -4.5 V 时的导通电阻 RDS(ON) < 140 mΩ
- 栅源电压（VGS）为 -2.5 V 时的导通电阻 RDS(ON) < 210 mΩ
- 沟槽功率MOSFET技术
- 栅源电压（VGS）为 -4.5 V 时导通电阻（RDS(ON)）低
- 高电流处理能力
- 无卤、符合RoHS标准
应用领域
- 便携式设备的DC/DC转换器-高端负载开关-高速线路驱动器