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2080K
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:20V 电流:80A
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- 描述
- 特性：极低的导通电阻：典型值为 3.4mΩ（VGS = 4.5V，Id = 30A 时）。 良好的稳定性和一致性。 100% 雪崩测试。 出色的散热封装
- 品牌名称
- FM(富满)
- 商品型号
- 2080K
- 商品编号
- C2932010
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.362克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 88W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.56nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 356pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
P沟道MOSFET
商品特性
- 极低的RDS(ON):
- 典型RDS(ON) = 3.4mΩ(VGS = 4.5 V,Id = 30 A时)
- 良好的稳定性和一致性
- 经过100%雪崩测试
- 散热性能出色的封装
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理
- 通用应用