30P55K
P通道增强模式功率MOSFET,电流:-40A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- FM(富满)
- 商品型号
- 30P55K
- 商品编号
- C2932011
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 24.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.564nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 373pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
P沟道增强型场效应晶体管
商品特性
- VDS(V) = -30 V，ID = -5.1 A
- 采用高密度单元设计，RDS(ON)极低
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
- SOT-23封装