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30H10K
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 30H10K采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至5V的栅极电压下工作。该器件适用于多种应用场景。
- 品牌名称
- FM(富满)
- 商品型号
- 30H10K
- 商品编号
- C2932013
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.362克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 88W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- VDS = 30V,ID = 100A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 4.2mΩ
- 当VGS = 5V时,RDS(ON) < 7mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理