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3407/H
P沟道沟槽功率MOSFET 1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，可提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷。该器件适用于 UPS、电源开关和通用应用。
- 品牌名称
- FM(富满)
- 商品型号
- 3407/H
- 商品编号
- C2932006
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.062克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 522pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |