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2060A(N MOS)
N沟道 耐压:20V 电流:60A
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- 描述
- 2060A采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于多种应用场景。
- 品牌名称
- FM(富满)
- 商品型号
- 2060A(N MOS)
- 商品编号
- C2932009
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.358克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 62W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 305pF | |
| 工作温度 | -55℃~+155℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 389pF |
商品概述
P沟道MOSFET
商品特性
- VDS = -30 V，ID = -4.2 A
- 在VGS = -2.5 V时，RDS(ON) < 90 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 75 mΩ
- 在VGS = -10 V时，RDS(ON) < 55 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品标准
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理