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TC840
P沟道,电流:-5A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- FM(富满)
- 商品型号
- TC840
- 商品编号
- C2932000
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 662pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 139pF |
商品概述
N沟道增强型场效应晶体管
商品特性
- 无铅、符合RoHS标准，VDS = 20 V
- ID = 6 A
- RDS(ON)（VGS = 4.5 V时）< 18 mΩ
- RDS(ON)（VGS = 2.5 V时）< 22 mΩ
- RDS(ON)（VGS = 1.8 V时）< 39 mΩ
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- PWM应用
- 负载开关