温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NCE8295AD
1个N沟道 耐压:82V 电流:95A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于PWM、负载开关和通用应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE8295AD
- 商品编号
- C341704
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 82V | |
| 连续漏极电流(Id) | 95A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 109.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.8nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 261pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NCE40P13S采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -40V，漏极电流（ID） = -13A
- 栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 15 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 18 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 出色的封装，具备良好的散热性能
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- DC-DC转换器