温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NCE6012AS
1个N沟道 耐压:60V 电流:12A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- NCE6012AS采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下可实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE6012AS
- 商品编号
- C341723
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 93nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.1nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 229pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NCE6012AS采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V，漏极电流ID = 12A
- 栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 11 mΩ（典型值：8.6 mΩ）
- 栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 14 mΩ（典型值：10.3 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 低栅漏电荷，降低开关损耗
应用领域
- 功率开关应用-负载开关