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NCE8295A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE8295A

1个N沟道 耐压:82V 电流:95A

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描述
NCE8295A采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于脉冲宽度调制(PWM)、负载开关及通用应用。
商品型号
NCE8295A
商品编号
C341725
商品封装
TO-220-3L​
包装方式
管装
商品毛重
2.86克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)82V
连续漏极电流(Id)95A
导通电阻(RDS(on))8mΩ@10V
耗散功率(Pd)170W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)109.3nC@10V
输入电容(Ciss)6.8nF@25V
反向传输电容(Crss)261pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)353pF

商品概述

NCE0224K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压 = 200V,漏极电流 = 24A
  • 栅源电压为10V时,漏源导通电阻 < 80 mΩ(典型值:64mΩ)
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 高雪崩能量,稳定性和一致性良好
  • 采用散热性能良好的封装
  • 特殊工艺技术,具备高静电放电能力

应用领域

  • 功率开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF