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NCEP1520K
1个N沟道 耐压:150V 电流:20A
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- 描述
- NCEP1520K采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP1520K
- 商品编号
- C341717
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@75V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SOP-8 塑封封装双 P 沟道 MOS 场效应管。
商品特性
- VDS = 150V,ID = 20A
- RDS(ON) = 59mΩ(典型值),VGS = 10V
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 工作温度达175 °C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行UIS测试
应用领域
-LED背光-非常适合高频开关和同步整流