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NCEP1520K实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP1520K

1个N沟道 耐压:150V 电流:20A

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描述
NCEP1520K采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
商品型号
NCEP1520K
商品编号
C341717
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.47克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))65mΩ@10V
耗散功率(Pd)68W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)12nC@75V
输入电容(Ciss)600pF@75V
反向传输电容(Crss)10.8pF@75V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品概述

SOP-8 塑封封装双 P 沟道 MOS 场效应管。

商品特性

  • 超高密度设计,低导通电阻,坚固可靠。
  • 超高密度单元设计,低漏源导通电阻,坚固可靠。

应用领域

  • 用于笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。
  • 用于笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。

数据手册PDF