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NCEP0178A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP0178A

1个N沟道 耐压:100V 电流:78A

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描述
使用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻 RDS(ON) 和栅极电荷 Qg 的组合,导通和开关功率损耗最小化。适用于高频开关和同步整流。
商品型号
NCEP0178A
商品编号
C341715
商品封装
TO-220-3L​
包装方式
管装
商品毛重
2.89克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)78A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)125W
阈值电压(Vgs(th))2.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)65nC@10V
输入电容(Ciss)5.48nF
反向传输电容(Crss)30pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)425pF

商品概述

NCE6990采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON)),适用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS = 100V,ID = 78A
  • RDS(ON) = 7.2 m Ω(典型值),VGS = 10 V
  • RDS(ON) = 9.5 m Ω(典型值),VGS = 4.5 V
  • 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数)
  • 极低的导通电阻RDS(ON)
  • 工作温度达175 °C
  • 无铅引脚镀层
  • 100%进行了非钳位感性开关(UIS)测试

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF