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NCEP0178A
1个N沟道 耐压:100V 电流:78A
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- 描述
- 使用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻 RDS(ON) 和栅极电荷 Qg 的组合，导通和开关功率损耗最小化。适用于高频开关和同步整流。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP0178A
- 商品编号
- C341715
- 商品封装
- TO-220-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.89克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 78A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.48nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 425pF |
商品概述
NCE6990采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 69V，漏极电流（ID） = 90A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 7.0 mΩ（典型值：5.7 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
- 采用特殊工艺技术，具备高ESD能力
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源