温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NCE6008AS
1个N沟道 耐压:60V 电流:8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- NCE6008AS采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的 $\mathsf{R_{DS(ON)}}$。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE6008AS
- 商品编号
- C341716
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38.5nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
BLM3407采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 8A
- RDS(ON) < 20 m Ω @ VGS = 10 V (典型值:15.6 m Ω )
- RDS(ON) < 28 m Ω @ VGS = 4.5 V (典型值:20 m Ω )
- 高密度单元设计,实现超低RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完整
- 低栅极 - 漏极电荷,降低开关损耗
应用领域
- 电源开关应用
- 负载开关