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NCEP01T13AD实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP01T13AD

1个N沟道 耐压:100V 电流:130A

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描述
NCEP01T13AD采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用
商品型号
NCEP01T13AD
商品编号
C341720
商品封装
TO-263-2L​
包装方式
编带
商品毛重
2.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)130A
导通电阻(RDS(on))4.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)210W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)92nC@10V
输入电容(Ciss)6.4nF
反向传输电容(Crss)35pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(800个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个800个/圆盘

近期成交18