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NCE3035Q实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE3035Q

1个N沟道 耐压:30V 电流:35A

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描述
NCE3035Q采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品型号
NCE3035Q
商品编号
C341712
商品封装
DFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.108克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on))11mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)35W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)45nC@10V
输入电容(Ciss)2.33nF
反向传输电容(Crss)230pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)460pF

商品概述

NCE3035Q采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下实现出色的RDS(ON),适用于多种应用场景。

商品特性

  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 7.0 mΩ
  • 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 11 mΩ
  • VDS = 30V,ID = 35A
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 高单脉冲雪崩能量,稳定性和一致性良好
  • 采用优秀封装,散热性能良好
  • 特殊工艺技术,具备高静电放电能力

应用领域

  • 次级侧同步整流器
  • 负载点(POL)DC/DC转换器中的高端开关

数据手册PDF