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NCE40P13S
1个P沟道 耐压:40V 电流:13A
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- 描述
- NCE40P13S采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于各种应用场合。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE40P13S
- 商品编号
- C341713
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 5.8A
- 当栅源电压VGS = 2.5V时，导通状态下的漏源电阻RDS(ON) < 59mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通状态下的漏源电阻RDS(ON) < 45mΩ
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通状态下的漏源电阻RDS(ON) < 41mΩ
- 高功率和大电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装