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NCE0224K
1个N沟道 耐压:200V 电流:24A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，提供低栅极电荷和出色的导通电阻RDS(ON)，可用于多种应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE0224K
- 商品编号
- C341714
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NCE6008AS采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 8A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 20mΩ（典型值：15.6mΩ）
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 28mΩ（典型值：20mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 对雪崩电压和电流进行了全面表征
- 低栅漏电荷，可降低开关损耗
应用领域
- 功率开关应用
- 负载开关