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NCE4080
1个N沟道 耐压:40V 电流:80A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。可用于多种应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE4080
- 商品编号
- C341708
- 商品封装
- TO-220-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.712克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.01nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 390pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 750pF |
商品概述
NCE3080IA采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通态漏源电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 80A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，导通态漏源电阻（RDS(ON)） < 6.5 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 5V时，导通态漏源电阻（RDS(ON)） < 10 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 散热性能出色的封装
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源