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NCE4080实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE4080

1个N沟道 耐压:40V 电流:80A

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描述
使用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。可用于多种应用。
商品型号
NCE4080
商品编号
C341708
商品封装
TO-220-3L​
包装方式
管装
商品毛重
2.712克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))6.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)90W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)50nC
输入电容(Ciss)4.01nF
反向传输电容(Crss)390pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)750pF

商品概述

NCE3080IA采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通态漏源电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS = 40V, ID = 80A
  • RDS(ON)< 6.5 m Ω@ VGS=10 V
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
  • 采用散热性能良好的出色封装

应用领域

  • 脉冲宽度调制(PWM)
  • 负载开关

数据手册PDF