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NCE40H12
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 描述
- NCE40H12采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于多种场景。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE40H12
- 商品编号
- C341707
- 商品封装
- TO-220-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.712克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 380pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NCEP01T13AD采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (Qg) 极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- VDS = 40V, ID = 120A
- RDS(ON) < 4 m Ω @ VGS = 10 V
- RDS(ON) < 7 m Ω @ VGS = 4.5 V
- 高密度单元设计,实现超低的 RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
- 出色的封装,散热性能良好
- 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力
应用领域
- 负载开关
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源