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JMTL2N7002KS
N沟道 耐压:60V 电流:0.25A
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- 描述
- 特性：VDS = 60V，ID = 0.25A，RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V，RDS(ON) < 2.87Ω @ VGS = 5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品认证。 ESD保护：2KV。应用：电池供电系统。 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTL2N7002KS
- 商品编号
- C2890419
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.87Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 230mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 28pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最小化导通电阻（R_DS(on)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-极低的栅极阈值电压VGS(TH),最大1.0V-低输入电容-快速开关速度-栅极具备ESD保护-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑。“绿色”器件-通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性
应用领域
-DC-DC转换器-电源管理功能