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JMSL0406AG
40V, 70A, N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 特性：超低导通电阻。 低栅极电荷。 高电流能力。 100%进行UIS测试。 100%进行Rg测试。应用：计算、消费电子、工业4.0、通信领域的电源管理。 DC/DC和AC/DC（同步整流）子系统中的电流切换
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMSL0406AG
- 商品编号
- C2890432
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.226克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.204nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 536pF |
商品特性
- 超低漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 高电流承载能力
- 静电放电（ESD）防护能力增强，人体模型（HBM）等级高达1.5 kV
- 100%进行了非钳位感性开关（UIS）测试和栅极电阻（Rg）测试
应用领域
- 计算机、消费电子、工业4.0、通信领域的电源管理
- 直流/直流和交流/直流子系统中的电流切换
- 电机驱动、快速/无线充电