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JMTL3400A
N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 特性：30V, 5.8A。 RDS(ON) < 26mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 32mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 50mΩ @ VGS = 2.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTL3400A
- 商品编号
- C2890442
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 702pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 30V、5.8A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 26 mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 32 mΩ
- 在VGS = 2.5V时,RDS(ON) < 50 mΩ
- 先进沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理