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JMGE120V09A
1个N沟道 耐压:85V 电流:130A
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- 描述
- 特性：85V，130A。 RDS(ON) < 5.2mΩ @ VGS = 10V。 先进的沟槽技术。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMGE120V09A
- 商品编号
- C2890455
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 184W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.75nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管功率MOSFET
应用领域
- 便携式设备负载开关
- DC/DC转换器
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