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JMTP4435A
P沟道,电流:-10A,耐压:-30V
- 描述
- 特性：VDS = -30V，ID = -10A。 RDS(ON) < 23mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 34mΩ @ VGS = -4.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTP4435A
- 商品编号
- C2890444
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.184克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@0V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 278pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- VDS = -30 V,ID = -10 A
- RDS(ON)< 23 m Ω(在 VGS=-10 V 时)
- RDS(ON)< 34 m Ω(在 VGS=-4.5 V 时)
- 先进沟槽技术
- 出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 电源管理