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JMTE035N06D
1个N沟道 耐压:60V 电流:180A
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- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTE035N06D
- 商品编号
- C2890439
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 258W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 138nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 620pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 642pF |
商品概述
JMT P沟道增强型功率MOSFET
商品特性
- VDS = -30 V，ID = -60 A
- 在VGS = -10 V时，RDS(ON) < 7.5 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 12.6 mΩ
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理