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JMSH1004AE
1个N沟道 耐压:100V 电流:190A
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- 描述
- 特性：超低导通电阻（RDS(ON)）。 低栅极电荷。 高电流能力。 100%进行UIS测试。 100%进行Rg测试。应用：电信、工业自动化、消费电子中的电源管理。 DC/DC和AC/DC（SR）子系统中的电流切换
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMSH1004AE
- 商品编号
- C2890420
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 190A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.398nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.361nF |
商品概述
GL80N06FA9采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用。其封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 8.0 mΩ（典型值6.5 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低漏源导通电阻（Rdson）
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 出色的封装，散热性能良好
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源