1个N沟道 耐压:100V 电流:190A
- 1+: ¥5.52 / 个
- 10+: ¥4.59 / 个
- 30+: ¥4.12 / 个
1+: |
¥5.52 / 个 |
10+: |
¥4.59 / 个 |
30+: |
¥4.12 / 个 |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 190A | |
功率(Pd) | 250W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3mΩ@10V,20A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.7V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 66nC@0~10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 4.398nF@50V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 8.5pF@50V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |