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JMTK080P03A
P沟道 耐压:30V
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- 描述
- P-channel Enhancement Mode Power MOSFET旨在为特定电路提供高效的功率控制和开关功能。
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTK080P03A
- 商品编号
- C2890426
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.503克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 486pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- VDS = -30 V,ID = -60 A
- 在VGS = -10 V时,RDS(ON) < 7.5 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) < 12.6 mΩ
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理