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JMTL3N10A
1个N沟道 耐压:100V 电流:3A
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- 描述
- 特性：100V, 3A。 RDS(ON) = 180mΩ (Typ.) @ VGS = 10V。 RDS(ON) = 210mΩ (Typ.) @ VGS = 4.5V。 高密度单元设计，实现超低RDS(ON)。 具备完整的雪崩电压和电流特性。 出色的封装，利于散热。应用：不间断电源(UPS)。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTL3N10A
- 商品编号
- C2890430
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 310mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
JMG P沟道高级模式功率MOSFET
商品特性
- 100V，-35A
- 在VGS = -10 V时，RDS(ON) < 52 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 62 mΩ
- 先进的分裂栅沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理