温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.273nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 98pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这些N沟道增强型功率MOSFET采用先进的沟槽技术设计，具备出色的导通电阻（Rdson）和低栅极电荷，符合RoHS标准。
商品特性
- VDS = -40 V,ID = -15 A
- 当VGS = -10 V时,RDS(ON) < 35 mΩ
- 当VGS = -4.5 V时,RDS(ON) < 56 mΩ
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理