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JMSL1006AG-13
N沟道 耐压:100V 电流:108A
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- 描述
- 特性：超低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 100% UIS测试，100% Rg测试。 无铅镀层。 无卤且符合RoHS标准。应用：电信、工业自动化、消费电子领域的电源管理。 DC/DC和AC/DC（SR）子系统中的电流切换
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMSL1006AG-13
- 商品编号
- C2890417
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18648克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 108A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.604nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CS540FA9采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用。封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 31 mΩ（典型值26 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低导通状态漏源电阻（Rdson）
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 出色的封装，散热性能良好
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源