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JMSH1507AE-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

JMSH1507AE-13

N沟道 耐压:150V 电流:132A

描述
特性:超低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 100%进行UIS测试,100%进行Rg测试。 无铅引脚电镀。 无卤且符合ReHS标准。应用:电信、工业自动化、消费电子中的电源管理。 DC/DC和AC/DC(SR)子系统中的电流开关
品牌名称
JJW(捷捷微)
商品型号
JMSH1507AE-13
商品编号
C2890416
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
2.20975克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)132A
导通电阻(RDS(on))6.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)288W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)68nC@10V
输入电容(Ciss)4.32nF
反向传输电容(Crss)7.2pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品概述

JMT N沟道增强型功率MOSFET

商品特性

  • 超低导通电阻RDS(ON)
  • 低栅极电荷
  • 100%进行了单向雪崩能量(UIS)测试和栅极电阻(Rg)测试
  • 无铅引脚镀层
  • 无卤且符合RoHS标准

应用领域

  • 电信、工业自动化、消费电子领域的电源管理
  • DC/DC和AC/DC(同步整流)子系统中的电流切换
  • 电动工具、电动车、机器人领域的电机驱动

数据手册PDF