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JMGL3V10A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

JMGL3V10A

N沟道 耐压:100V 电流:3A

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描述
特性:VDS = 100V,ID = 3A。 RDS(ON) = 110mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) = 160mΩ @ VGS = 4.5V。 高功率和电流处理能力。 获得无铅产品认证。 表面贴装封装。应用:电池保护。 负载开关
品牌名称
JJW(捷捷微)
商品型号
JMGL3V10A
商品编号
C2890413
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.042克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))300mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)4.3nC@10V
输入电容(Ciss)206pF
反向传输电容(Crss)1.4pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • VDS = 100 V,ID = 3 A
  • 当VGS=10V时,RDS(ON)=110mΩ
  • 当VGS=4.5V时,RDS(ON)=160mΩ
  • 高功率和电流处理能力
  • 获得无铅产品认证
  • 表面贴装封装

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 电源管理

数据手册PDF