温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
JMTL3415KL
耐压:20V 电流:4.1A
- 描述
- 特性：VDS = -20V，ID = -4.1A。 RDS(ON) < 40mΩ @ VGS = -4.5V。 RDS(ON) < 56mΩ @ VGS = -2.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品认证。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTL3415KL
- 商品编号
- C2890408
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 289pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NP8205MR采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -20 V,漏极电流(ID) = -4.1 A
- 当栅源电压(VGS) = -4.5 V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 40 mΩ
- 当栅源电压(VGS) = -2.5 V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 56 mΩ
- 先进沟槽技术
- 出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
- 静电放电(ESD)等级:人体模型(HBM)2.0 KV
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理