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JMTL3415KL
耐压:20V 电流:4.1A
- 描述
- 特性：VDS = -20V，ID = -4.1A。 RDS(ON) < 40mΩ @ VGS = -4.5V。 RDS(ON) < 56mΩ @ VGS = -2.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品认证。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTL3415KL
- 商品编号
- C2890408
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 289pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NP8205MR采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20 V，漏极电流ID = 6.5 A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) = 19.6 mΩ（典型值）
- 当栅源电压VGS = 2.5V时，导通电阻RDS(ON) = 23.7 mΩ（典型值）
- 具备高功率和大电流处理能力
- 产品无铅
- 采用表面贴装封装
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理