温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
JMTQ35N06A
1个N沟道 耐压:60V 电流:35A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：60V,35A。 RDS(ON) <18mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) <27mΩ @ VGS = 4.5V。 先进的沟槽技术。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTQ35N06A
- 商品编号
- C2890411
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.117克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 124pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 小封装尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷QG和电容，可将驱动损耗降至最低
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准