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CSD17310Q5A
1个N沟道 耐压:30V 电流:21A 100A
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- 描述
- CSD17310Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17310Q5A
- 商品编号
- C2876533
- 商品封装
- VSONP-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A；21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.1mΩ@8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.56nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
30V N沟道NexFET™功率MOSFETNexFET™ 功率MOSFET专为将功率转换应用中的损耗降至最低而设计，针对5V栅极驱动应用进行了优化。
商品特性
- 针对5V栅极驱动优化
- 极低Qg和Qgd
- 低热阻
- 耐雪崩额定
- 无铅端子镀层
- 符合RoHS标准
- 无卤素
- 采用SON 5mm × 6mm塑料封装
应用领域
- 笔记本负载点
- 网络、电信和计算系统中的负载点同步降压
- 针对同步FET应用优化