- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD87313DMST
2个N沟道 耐压:30V
- 描述
- CSD87313DMS 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD87313DMST
- 商品编号
- C2876129
- 商品封装
- WSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.29nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 |
商品概述
CSD87313DMS 是一款 30V 共漏极、双路 N 通道器件，专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。此 3.3 mm × 3.3 mm SON 器件具有低源极至源极导通电阻，可最大限度地较少损耗，且具有较少的组件数量，适用于空间受限的应用。
商品特性
- 低源极至源极导通电阻
- 双共漏极 N 通道 MOSFET
- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
- 低Qg和Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3 mm × 3.3 mm 塑料封装
应用领域
- USB Type-C™和电力输送 (PD) VBus 保护
- 电池保护
- 负载开关