温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD87313DMST
2个N沟道 耐压:30V
- 描述
- CSD87313DMS 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD87313DMST
- 商品编号
- C2876129
- 商品封装
- WSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.29nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | 共漏 |
交货周期
订货83-85个工作日购买数量
(250个/圆盘，最小起订量 1000 个)个
起订量：1000 个250个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单