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CSD19531Q5AT
1个N沟道 耐压:100V 电流:16A
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描述
CSD19531Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称TI(德州仪器)
商品型号
CSD19531Q5AT商品编号
C2876525商品封装
VSONP-8(5x6)包装方式
编带
商品毛重
0.4776克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.3mΩ@10V,16A | |
| 功率(Pd) | 3.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.7V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 3.87nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 16.9pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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