温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD19531Q5AT
1个N沟道 耐压:100V 电流:110A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CSD19531Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD19531Q5AT
- 商品编号
- C2876525
- 商品封装
- VSONP-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4776克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.87nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 728pF |
商品概述
这款100V，5.3mΩ，SON 5mm x 6mm NexFET功率MOSFET被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。
商品特性
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅端子镀层
- 符合RoHS环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线(SON) 5mm x 6mm塑料封装
应用领域
- 初级侧电信应用
- 次级侧同步整流器
- 电机控制
优惠活动
购买数量
(250个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个250个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交14单