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CSD18534Q5AT
1个N沟道 耐压:60V 电流:69A
- 描述
- CSD18534Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD18534Q5AT
- 商品编号
- C2876531
- 商品封装
- SON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.484克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 69A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 77W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.77nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 217pF |
商品概述
此 7.8mΩ、60V、SON 5 x 6mm NexFET 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。
商品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 逻辑电平
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线(SON) 5mm x 6mm 塑料封装
应用领域
- 直流 - 直流转换
- 次级侧同步整流器
- 隔离式转换器主级侧开关
- 电机控制
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 100 个)个
起订量：100 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单