CSD18513Q5AT
N沟道,电流:124A,耐压:40V
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- 描述
- CSD18513Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.4mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD18513Q5AT
- 商品编号
- C2876528
- 商品封装
- VSONP-8(4.9x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 124A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.28nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 231pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款采用 5mmx6mm SON 封装的 40V、2.8mΩ、NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。
商品特性
- 低 RDS(ON)
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 逻辑电平
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素 SON 5mm×6mm 塑料封装
应用领域
- 直流 - 直流转换次级侧同步整流
- 电池电机控制
优惠活动
购买数量
(250个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个250个/圆盘
总价金额：
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