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LM5109BQNGTRQ1

LM5109B-Q1 高电压1A 峰值半桥栅极驱动器

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描述: LM5109B-Q1 具有 8V UVLO 和高抗扰度的汽车类 1A、100V 半桥栅极驱动器
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LM5109BQNGTRQ1
商品编号: C2876136
商品封装: WSON-8-EP(4x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.07克(g)

商品参数

商品概述

LM5109B-Q1是一款具有成本效益的高电压栅极驱动器，设计用于驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧N沟道MOSFET。悬空高侧驱动器能够在高达90V的电源轨电压下工作。输出通过兼容TTL/CMOS的逻辑输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用耐热增强型WSON(8)封装。

商品特性

符合汽车类应用标准，具有符合AEC-Q100标准的下列结果：
- 器件温度1级
- 器件人体放电模型(HBM)静电放电(ESD)分类等级1C
- 器件组件充电模型(CDM) ESD分类等级C4A
可驱动高侧和低侧N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
1A峰值输出电流（1.0A灌电流/1.0A拉电流）
独立的晶体管 - 晶体管逻辑电路/互补金属氧化物半导体(TTL/CMOS)兼容输入
自举电源电压高达108V（直流）
短暂传播时间（典型值为30ns）
可以15ns的上升和下降时间驱动1000pF负载
优异的传播延迟匹配（典型值为2ns)
电源轨欠压锁定

应用领域

推挽转换器
半桥和全桥电源转换器
固态电机驱动器
双开关正向电源转换器

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；半桥；高边
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	1A
	拉电流(IOH)	1A
	工作电压	8V~14V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	15ns
	下降时间(tf)	15ns
	传播延迟 tpLH	32ns
	传播延迟 tpHL	30ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	300uA