温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LM5106SD/NOPB
LM5106 100-V 半桥栅极驱动器带可编程死区时间
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- LM5106 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LM5106SD/NOPB
- 商品编号
- C2876328
- 商品封装
- WSON-10-EP(4x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1.8A | |
| 拉电流(IOH) | 1.2A | |
| 工作电压 | 8V~14V | |
| 上升时间(tr) | 15ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 10ns | |
| 传播延迟 tpLH | 520ns | |
| 传播延迟 tpHL | 32ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.8V~2.2V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV~1.8V | |
| 静态电流(Iq) | 340uA |
商品概述
LM5106是一款高压栅极驱动器，旨在驱动同步降压或半桥配置中的高端和低端N沟道MOSFET。浮动高端驱动器可在高达100 V的轨电压下工作。单个控制输入与TTL信号电平兼容，通过紧密匹配的导通延迟电路，单个外部电阻可对开关转换死区时间进行编程。强大的电平转换技术可高速运行，同时功耗较低，并能提供清晰的输出转换。当低端或自举高端电源电压低于工作阈值时，欠压锁定（UVLO）会禁用栅极驱动器。LM5106提供10引脚VSSOP或热增强型10引脚WSON塑料封装。
商品特性
- 驱动高端和低端N沟道MOSFET
- 1.8 A峰值输出灌电流
- 1.2 A峰值输出源电流
- 自举电源电压范围高达118 V DC
- 单个与TTL兼容的输入
- 可编程导通延迟（死区时间）
- 使能输入引脚
- 快速关断传播延迟（典型值32 ns）
- 驱动1000 pF负载，上升时间15 ns，下降时间10 ns
- 电源轨欠压锁定
- 低功耗
- 10引脚WSON封装（4 mm×4 mm）和10引脚VSSOP封装
应用领域
- 固态电机驱动器
- 半桥和全桥电源转换器
- 双开关正激式电源转换器
优惠活动
购买数量
(1000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交6单