LMG3411R050RWHT
LMG3411R050RWHT
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- 描述
- LMG3411R050 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LMG3411R050RWHT
- 商品编号
- C2876665
- 商品封装
- VQFN-32-EP(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.158克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 灌电流(IOL) | 77.6A | |
| 工作电压 | 9.5V~18V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 2.9ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
LMG341xR050 GaN功率级具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x的固有优势超越硅MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低80%的零反向恢复以及可降低EMI的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱PFC之类的密集高效拓扑。 LMG341xR050通过集成一系列独一无二的特性提供了传统共源共栅GaN和独立GaN FET的智能替代产品，以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持100V/ns开关（Vds振铃几乎为零），低于100ns的限流可自行防止意外击穿事件，过热关断可防止热逃逸，而且系统接口信号可提供自监控功能。
商品特性
- TI GaN工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试
- 支持高密度电源转换设计
- 与共源共栅或独立GaN FET相比具有卓越的系统性能
- 低电感8mm×8mm QFN封装简化了设计和布局
- 可调节驱动强度确保开关性能和EMI控制
- 数字故障状态输出信号
- 仅需+12V非稳压电源
- 集成栅极驱动器
- 零共源电感20ns传播延迟，确保MHz级工作频率
- 工艺经过调整的栅极偏置电压，确保可靠性
- 25V/ns至100V/ns的用户可调节压摆率
- 强大的保护
- 无需外部保护组件
- 过流保护，响应时间低于100ns
- 压摆率抗扰性高于150V/ns
- 瞬态过压抗扰度
- 过热保护
- 针对所有电源轨的UVLO保护
- LMG3410R050：锁存过流保护
- LMG3411R050：逐周期过流保护
应用领域
- 高密度工业电源和消费类电源
- 多电平转换器
- 光伏逆变器
- 工业电机驱动
- 不间断电源
- 高电压电池充电器
优惠活动
购买数量
(250个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个250个/圆盘
总价金额：
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