LM5114ASD/NOPB
LM5114ASD/NOPB
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- LM5114 具有 4V UVLO 和分离输出的 7.6A/1.3A 单通道栅极驱动器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LM5114ASD/NOPB
- 商品编号
- C2876202
- 商品封装
- WSON-6-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 灌电流(IOL) | 7.6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 1.3A | |
| 工作电压 | 4V~12.6V | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
LM5114旨在驱动升压型配置中的低端MOSFET，或驱动隔离拓扑中的次级同步MOSFET。凭借强大的灌电流能力，LM5114可并联驱动多个FET。LM5114还具备驱动低端增强型氮化镓（GaN）FET所需的特性。LM5114提供反相和同相输入，以满足单一器件类型中反相和同相栅极驱动的要求。LM5114的输入与TTL/CMOS逻辑兼容，无论VDD电压如何，都能承受高达14 V的输入电压。LM5114具有分离式栅极输出，可灵活独立调整导通和关断强度。LM5114开关速度快，传播延迟极小，便于高频操作。LM5114采用6引脚SOT - 23封装和带散热焊盘的6引脚WSON封装，有助于散热。
商品特性
- 独立的源极和漏极输出，可控制上升和下降时间
- 4 V至12.6 V单电源供电
- 7.6 A/1.3 A峰值灌电流和拉电流驱动能力
- 0.23 Ω开漏下拉灌电流输出
- 2 Ω开漏上拉源电流输出
- 12 ns（典型值）传播延迟
- 反相和同相输入之间的匹配延迟时间
- TTL/CMOS逻辑输入
- 0.68 V输入迟滞
- 高达14 V逻辑输入（无论VDD电压如何）
- 低输入电容：2.5 pF（典型值）
- -40℃至125℃工作温度范围
- 与MAX5048引脚兼容
- 6引脚SOT - 23封装
应用领域
- 升压转换器
- 反激式和正激式转换器
- 隔离拓扑中的次级同步FET驱动
- 电机控制
优惠活动
购买数量
(1000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单