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CSD17318Q2T
1个N沟道 耐压:30V 电流:25A
- 描述
- CSD17318Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17318Q2T
- 商品编号
- C2876303
- 商品封装
- WSON-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.1mΩ@8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 16W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 879pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CSD17318Q2是一款30V N沟道NexFET™功率MOSFET。该30V 12.6mΩ 2mm×2mm SON NexFET™功率MOSFET可以极大地降低功率转换应用中的损耗，并针对5V栅极驱动应用进行了优化。2mm×2mm SON封装可提供相对于封装尺寸而言出色的热性能。
商品特性
- 针对5V栅极驱动进行了优化
- 低电容和电荷
- 低RDS(ON)
- 低热阻
- 无铅
- 符合RoHS
- 无卤素
- SON 2mm×2mm塑料封装
应用领域
- 存储、平板电脑和手持设备
- 负载开关应用
- 直流/直流转换器
- 电池和负载管理应用