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FDMA905P
P沟道增强型功率MOSFET P沟道 耐压:12V 电流:16A
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- 描述
- 广泛应用于电池管理系统、电源转换及各类高效能电子设备中，实现卓越的功率控制与能效管理。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- FDMA905P
- 商品编号
- C2874704
- 商品封装
- DFN2X2-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 680pF |
商品概述
该 29 mΩ、-12V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。 特性：
- 低导通电阻
商品特性
- VDS = -12V,ID = -16A
- 当VGS = -2.5V时,RDS(ON) < 22mΩ
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 18mΩ
- 先进的沟槽MOSFET工艺技术
- 超低导通电阻和低栅极电荷
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 手机电池充电