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FDMA905P
P沟道增强型功率MOSFET P沟道 耐压:12V 电流:16A
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- 描述
- 广泛应用于电池管理系统、电源转换及各类高效能电子设备中，实现卓越的功率控制与能效管理。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- FDMA905P
- 商品编号
- C2874704
- 商品封装
- DFN2X2-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 680pF |
商品概述
该 29 mΩ、-12V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。 特性：
- 低导通电阻
商品特性
- 低导通电阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 超小尺寸
- 1.53 mm × 0.77 mm
- 0.50mm 焊盘间距
- 薄型封装
- 厚度为 0.36 mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 >4 kV 人体放电模式 (HBM)
- 额定值 >2 kV 组件充电模式 (CDM)
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
应用领域
- 针对工业负载开关应用进行了优化
- 针对通用开关应用进行了优化