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JSM3622
N沟道增强型功率MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:25A
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- 描述
- 适用于电池保护、负载开关及电源管理等领域。其优越的导通电阻和快速切换性能确保了在低压电路中的出色能效与稳定性。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM3622
- 商品编号
- C2874714
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 564pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的Power Trench®工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。
商品特性
- 栅源电压为10 V、漏极电流为25 A时，最大漏源导通电阻 = 2.4 mΩ
- 栅源电压为8 V、漏极电流为22 A时，最大漏源导通电阻 = 3.2 mΩ
- 采用先进的封装与硅片组合，实现低漏源导通电阻和高效率
- 具有MSL1的坚固封装设计
- 经过100% UII测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-主MOSFET-同步整流器-负载开关-电机控制开关