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JSM6435
P沟道增强模式功率MOSFET 1个P沟道 耐压:30V 电流:34A
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- 描述
- 电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计，具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM6435
- 商品编号
- C2874728
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
商品概述
CSD87384M NexFET电源块II是针对同步降压应用的高度优化设计，能够在5.0 mm × 3.5 mm的小外形尺寸封装内提供大电流和高效率。针对5V栅极驱动应用进行了优化，此款产品可提供高效且灵活的解决方案，此解决方案在与外部控制器或驱动器的任一5V栅极驱动成对使用时，均可提供一个高密度电源。 特性：.
商品特性
- 塔式MOSFET
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
应用领域
- 便携式设备负载开关
- DC/DC转换器